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AP-Smart Inline
半导体封装智能整线
  • 高精 High Precision

    • XY ±7μm贴合精度

    • Cpk ≥1.67

    • 车规级零缺陷管控

  • 高稳 High Stability

    • 振动抑制技术

    • 实时纠偏技术

    • 多年大规模稳定量产

  • 高速 High Speed

    • +20%产能提升

    • 更高设备综合效能OEE

  • 高智 High Intelligence

    • MES数据可追溯性

    • 灵活的自动化无人整线

    • 全新升级兼容车载COB工艺

项目 规格
终端市场 消费电子 / 车规电子
应用产品 手机 / 车载CMOS模组,Lidar模组
来料兼容 4~12" Wafer, JEDEC Tray, Waffle Pack 等
工艺 COB, BGA, DAF
贴合精度 XY: ≤±7μm@3σ; θ: ≤±0.1°@3σ
UPH 标准产能 ≥2200 (手机COB, 排片 ≥36PCS)
≥1000 (车载COB, 排片 ≥18PCS)
设备尺寸 & 重量 取决于具体配置
备注: 部分规格取决于材料及设备配置
AP-M2000 Series
3D超薄堆叠固晶机
  • ±5μm

    精度

  • 25μm

    超薄芯片

  • 32-Hi

    堆叠

  • 100

    Class

  • 高精 High Precision

    • ±5μm 贴合精度

    • 无摩擦精准力控

    • 振动抑制系统

  • 高稳 High Stability

    • 25μm 超薄芯片

    • 32-Hi 多层堆叠

    • 头部 OSAT/IDM 大规模量产

  • 高速 High Speed

    • 卓越的 UPH & OEE

    • 支持 Flash 和 DRAM 所有封装工艺

    • 支持 DAF & Epoxy 工艺

  • 高智 High Intelligence

    • 防Die裂技术专利

    • 深度学习驱动型视觉检测AOI

    • 全面支持工业4.0

项目 规格
晶圆 6" ~ 12"
芯片大小 0.8 ~ 25mm
芯片厚度 ≥ 25μm
载板/框架长度 130 ~ 300mm
载板/框架宽度 55~100mm (选配 <55mm )
贴合力度 0.5 ~ 50N (选配 70N)
贴合精度 ±5μm @3σ
项目 规格
工艺 DAF & Epoxy
UPH 取决于材料或工艺
贴合区域加热 Max 250 ℃ (±5 ℃)
芯片堆叠 YES
封装形式 BGA/QFP/QFN等
设备尺寸(mm) 2292x1551x1900 (LxDxH)
重量 2450kg
备注: 部分规格取决于材料及设备配置
AP-M3500 Series
多芯片系统级封装固晶机
  • ±3μm

    精度

  • AMHS

    工业4.0

  • High Flexibility

    多芯片贴装

  • High Intelligence

    材料追溯,设备自检

  • 高精度 High Precision

    • ±3μm@3σ贴合精度

    • 0.07°@3σ旋转精度

    • 0.1-10N±10%力控精度

    • 精准BLT控制

  • 高速度 High Speed

    • 业界领先的UPH

    • 极致用户易用性

    • ±10μm高速模式

  • 高柔性 High Flexibility

    • 兼容多种工艺

    • 快速产品切换

    • 自动Tooling更换校准

  • 高智能 High Intelligence

    • 支持SECS/GEM, Inline, OHT, AGV

    • 胶水/贴片智能检测

    • 异物/Crack检测

    • 设备自检

项目 规格
产品应用 光通讯,Transceiver,SiP,激光雷达,摄像头模组等
芯片大小 0.15-25mm
芯片厚度 0.025-7.0mm
贴合力度 0.1-10N
贴合精度 ±3μm@3σ
贴装工艺 COB、FC、包含环氧胶/银胶/UV胶固晶工艺
项目 规格
基板 长130-260mm x 宽55-140mm
物料适配 FR4, Leadframe, Strips, Carrier, Boat,
Ceramics, 6"-12"Wafer, Gel-pak, Waffle Pack, Tray, Feeder
焊头 可支持6个Collet自动切换
选配加热功能,UV功能,激光测高功能等
顶针系统 可支持5套自动切换
设备尺寸 (mm) 1240x1553x2060 (LxDxH)
备注: 部分规格取决于材料及设备配置
AP-TC2000 Series
热压键合机
  • ±1.5μm

    精度

  • 1500+

    UPH

  • 16Hi+

    堆叠

  • 100

    Class

  • 高精度 High Precision

    • 贴装精度: TC ±1.5μm@30σ

    • Tilt 控制: ≤2μm@10mm

    • 支持TC-MUF / MR-MUF / FC等键合工艺

  • 高速度 High Speed

    • 单机型: BHx2, UPH≥1500; 双机型: BHx4, UPH≥3000

    • BH升温速率≥200°C/s, 降温速率≥-70°C/s

    • EFEM with Multi-loadports, 支持多种晶圆上下料

  • 免钎剂 Fluxless

    • 低温常压Plasma,去除待焊金属表面氧化层

    • 晶圆表面 / 芯片正反面自动处理

    • 氮气保护,氧浓度低至50PPM,腔体温度控制

    • 无需焊后清洗,适合超小间距倒装芯片键合

  • 高柔性 High Flexibility

    • 兼容Fluxless / Flux dipping模式

    • 兼容CoW / CoS / Panel等形式

    • 兼容Wafer / Tape & Reel / Tray等上料方式

    • 兼容Face up & Face down模式

    • 拥有单机型 / 量产双机型/热压-甲酸回流联机型

项目 规格
产品应用 Ultra Fine Pitch 存储及逻辑芯片封装(HBM/xPU等) CoWoS
芯片大小 Up to 26x33mm (70x70mm optional)
芯片厚度 ≥25um
贴合力度 0.7-50N
芯片堆叠 Yes
工艺 FC, DA, 90°: Flux dipping / Fluxless TC,
AFC + Inline Formic Acid Reflow
UPH 单机型 ≥1500;双机型 ≥3000
项目 规格
来料兼容 12" Wafer, Substrate, Panel
顶针系统 支持多步多段顶
MES SECS/GEM协议,全流程可追溯
Tool更换 自动更换所有吸嘴与顶针
检测系统 PBI/Particle & Die Crack Detect
设备尺寸(mm) 3100x3600x2800 (LxDxH) (单机型)
备注: 部分规格取决于材料及设备配置

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